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NTD5806N, NVD5806N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
2000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
30
1500
1000
C iss
10
V DS
QT
V GS
20
500
C oss
5
Q gs
Q gd
I D = 30 A
10
0
10
5
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
10
15
T J = 25 ° C
0
20
Vgs Vds
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
15
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 32 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
t f
t d(off)
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
1000
100
10 m s
10
100 m s
1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10
dc ms
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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